當LED走向Mini/Micro顯示、高功率UV與深紫外器件，微米PSS的散射增益逐漸觸頂，更細的納米結構才能進一步壓制全反射、匹配短波長光學。把圖形推到100–300nm的納米錐/納米柱，配合光子晶體思路，外量子效率較PSS再提20–40%，NPSS加工工藝是顯示與高亮芯片的下一代襯底技術。
NPSS的難點在“納米圖形如何低成本量產”——傳統投影光刻貴、電子束慢，難放大。主流方案是納米壓印光刻（NIL）：先在藍寶石沉SiO?硬掩膜、旋涂UV壓印膠，用納米模板（硬模/PDMS軟模）整片壓印并紫外固化，去殘膠后將圖形經RIE轉到SiO?，再以ICP-Cl?刻出納米錐，最后濕法清掩膜。NIL兼具高分辨與晶圓級高通量，軟UV-NIL還能適配輕微翹曲，是產業化的關鍵路徑；輔以AAO陽極氧化、納米球自組裝作低成本的科研路線。
在Micro/MiniLED顯示中，NPSS的納米散射讓RGB芯片出光更均勻、巨量轉移良率更高，是AR/VR與8K直顯的底層支撐；高功率藍光與LD借納米島狀生長進一步降位錯、抗droop；UV-C深紫外LED因藍寶石與AlN失配更大，NPSS的側向合并顯著改善晶體質量與光提取，推動殺菌與水處理應用。此外，NPSS的思路也延伸至光子晶體LED、微腔激光器的周期性結構制備。
挑戰在于模板壽命、脫模缺陷與大尺寸均勻性——現代產線通過抗粘涂層、雙層膠與多區溫控化解，6英寸NPSS已小批量導入。對追求“極限光效”的頭部廠，NPSS加工工藝是工藝躍遷：它把圖形化從微米推進到納米尺度，讓GaN器件逼近理論內量子效率，也為第三代半導體的異質集成打開新空間。
